Навигация
Главная
Поиск
Форум
FAQ's
Ссылки
Карта сайта
Чат программистов

Статьи
-Delphi
-C/C++
-Turbo Pascal
-Assembler
-Java/JS
-PHP
-Perl
-DHTML
-Prolog
-GPSS
-Сайтостроительство
-CMS: PHP Fusion
-Инвестирование

Файлы
-Для программистов
-Компонеты для Delphi
-Исходники на Delphi
-Исходники на C/C++
-Книги по Delphi
-Книги по С/С++
-Книги по JAVA/JS
-Книги по Basic/VB/.NET
-Книги по PHP/MySQL
-Книги по Assembler
-PHP Fusion MOD'ы
-by Kest
Professional Download System
Реклама
Услуги

Автоматическое добавление статей на сайты на Wordpress, Joomla, DLE
Заказать продвижение сайта
Программа для рисования блок-схем
Инженерный калькулятор онлайн
Таблица сложения онлайн
Популярные статьи
OpenGL и Delphi... 65535
Форум на вашем ... 65535
HACK F.A.Q 65535
Бип из системно... 65535
Гостевая книга ... 65535
Invision Power ... 65535
Пример работы с... 65535
Содержание сайт... 65535
Организация зап... 65535
Вызов хранимых ... 65535
Создание отчето... 65535
Программируемая... 65535
Эмулятор микроп... 65535
Подключение Mic... 65535
Создание потоко... 65535
Приложение «Про... 65535
Оператор выбора... 65535
Модуль Forms 65535
ТЕХНОЛОГИИ ДОСТ... 63078
Имитационное мо... 58363
Реклама
Сейчас на сайте
Гостей: 6
На сайте нет зарегистрированных пользователей

Пользователей: 13,092
новичок: VinDrossel
Новости
Реклама
Выполняем курсовые и лабораторные по разным языкам программирования
Подробнее - курсовые и лабораторные на заказ
Delphi, Turbo Pascal, Assembler, C, C++, C#, Visual Basic, Java, GPSS, Prolog, 3D MAX, Компас 3D
Заказать программу для Windows Mobile, Symbian

База данных электронного документооборота на Delphi + бд Intebase
моделирование процесса поступления заявок в ЭВМ на GPSS + Пояснительная ...
Моделирование процесса поступления заявок в систему, состоящую из трёх Э...

Реклама



Подписывайся на YouTube канал о программировании, что бы не пропустить новые видео!

ПОДПИСЫВАЙСЯ на канал о программировании
Типы микросхем
Из микросхем памяти (RAM - Random Access
Memory, память с произвольным доступом) используется два основных типа:
статическая (SRAM - Static RAM) и динамическая (DRAM - Dynamic RAM).


В статической памяти элементы
(ячейки) построены на различных вариантах триггеров - схем с двумя устойчивыми
состояниями. После записи бита в такую ячейку она может пребывать в этом
состоянии столь угодно долго - необходимо только наличие питания. При обращении
к микросхеме статической памяти на нее подается полный адрес, который при помощи
внутреннего дешифратора преобразуется в сигналы выборки конкретных ячеек. Ячейки
статической памяти имеют малое время срабатывания (единицы-десятки наносекунд),
однако микросхемы на их основе имеют низкую удельную плотность данных (порядка
единиц Мбит на корпус) и высокое энергопотребление. Поэтому статическая память
используется в основном в качестве буферной (кэш-память).


В динамической памяти ячейки
построены на основе областей с накоплением зарядов, занимающих гораздо меньшую
площадь, нежели триггеры, и практически не потребляющих энергии при хранении.
При записи бита в такую ячейку в ней формируется электрический заряд, который
сохраняется в течение нескольких миллисекунд; для постоянного сохранения заряда
ячейки необходимо регенерировать - перезаписывать содержимое для восстановления
зарядов. Ячейки микросхем динамической памяти организованы в виде прямоугольной
(обычно - квадратной) матрицы; при обращении к микросхеме на ее входы вначале
подается адрес строки матрицы, сопровождаемый сигналом RAS (Row Address Strobe -
строб адреса строки), затем, через некоторое время - адрес столбца,
сопровождаемый сигналом CAS (Column Address Strobe - строб адреса столбца). При
каждом обращении к ячейке регенерируют все ячейки выбранной строки, поэтому для
полной регенерации матрицы достаточно перебрать адреса строк. Ячейки
динамической памяти имеют большее время срабатывания (десятки-сотни наносекунд),
но большую удельную плотность (порядка десятков Мбит на корпус) и меньшее
энергопотребление. Динамическая память используется в качестве основной.


Обычные виды SRAM и DRAM
называют также асинхронными - потому, что установка адреса, подача управляющих
сигналов и чтение/запись данных могут выполняться в произвольные моменты времени
- необходимо только соблюдение временнЫх соотношений между этими сигналами. В
эти временные соотношения включены так называемые охранные интервалы,
необходимые для стабилизации сигналов, которые не позволяют достичь теоретически
возможного быстродействия памяти. Существуют также синхронные виды памяти,
получающие внешний синхросигнал, к импульсам которого жестко привязаны моменты
подачи адресов и обмена данными; помимо экономии времени на охранных интервалах,
они позволяют более полно использовать внутреннюю конвейеризацию и блочный
доступ.


FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM -
динамическая память с быстрым страничным доступом) активно используется в
последние несколько лет. Память со страничным доступом отличается от обычной
динамической памяти тем, что после выбора строки матрицы и удержании RAS
допускает многократную установку адреса столбца, стробируемого CAS, а также
быструю регенерацию по схеме "CAS прежде RAS". Первое позволяет ускорить блочные
передачи, когда весь блок данных или его часть находятся внутри одной строки
матрицы, называемой в этой системе страницей, а второе - снизить накладные
расходы на регенерацию памяти.


EDO (Extended Data Out -
расширенное время удержания данных на выходе) фактически представляют собой
обычные микросхемы FPM, на выходе которых установлены регистры-защелки данных.
При страничном обмене такие микросхемы работают в режиме простого конвейера:
удерживают на выходах данных содержимое последней выбранной ячейки, в то время
как на их входы уже подается адрес следующей выбираемой ячейки. Это позволяет
примерно на 15% по сравнению с FPM ускорить процесс считывания последовательных
массивов данных. При случайной адресации такая память ничем не отличается от
обычной.


BEDO (Burst EDO - EDO с блочным
доступом) - память на основе EDO, работающая не одиночными, а пакетными циклами
чтения/записи. Современные процессоры, благодаря внутреннему и внешнему
кэшированию команд и данных, обмениваются с основной памятью преимущественно
блоками слов максимальной ширины. В случае памяти BEDO отпадает необходимость
постоянной подачи последовательных адресов на входы микросхем с соблюдением
необходимых временных задержек - достаточно стробировать переход к очередному
слову отдельным сигналом.


SDRAM (Synchronous DRAM -
синхронная динамическая память) - память с синхронным доступом, работающая
быстрее обычной асинхронной (FPM/EDO/BEDO). Помимо синхронного метода доступа,
SDRAM использует внутреннее разделение массива памяти на два независимых банка,
что позволяет совмещать выборку из одного банка с установкой адреса в другом
банке. SDRAM также поддерживает блочный обмен. Основная выгода от использования
SDRAM состоит в поддержке последовательного доступа в синхронном режиме, где не
требуется дополнительных тактов ожидания. При случайном доступе SDRAM работает
практически с той же скоростью, что и FPM/EDO.


PB SRAM (Pipelined Burst SRAM -
статическая память с блочным конвейерным доступом) - разновидность синхронных
SRAM с внутренней конвейеризацией, за счет которой примерно вдвое повышается
скорость обмена блоками данных.


Микросхемы памяти имеют четыре
основные характеристики - тип, объем, структуру и время доступа. Тип обозначает
статическую или динамическую память, объем показывает общую емкость микросхемы,
а структура - количество ячеек памяти и разрядность каждой ячейки. Например,
28/32-выводные DIP-микросхемы SRAM имеют восьмиразрядную структуру (8k*8, 16k*8,
32k*8, 64k*8, 128k*8), и кэш для 486 объемом 256 кб будет состоять из восьми
микросхем 32k*8 или четырех микросхем 64k*8 (речь идет об области данных -
дополнительные микросхемы для хранения признаков (tag) могут иметь другую
структуру). Две микросхемы по 128k*8 поставить уже нельзя, так как нужна
32-разрядная шина данных, что могут дать только четыре параллельных микросхемы.
Распространенные PB SRAM в 100-выводных корпусах PQFP имеют 32-разрядную
структуру 32k*32 или 64k*32 и используются по две или по четыре в платах для
Pentuim.


Аналогично, 30-контактные SIMM
имеют 8-разрядную структуру и ставятся с процессорами 286, 386SX и 486SLC по
два, а с 386DX, 486DLC и обычными 486 - по четыре. 72-контактные SIMM имеют
32-разрядную структуру и могут ставиться с 486 по одному, а с Pentium и Pentium
Pro - по два. 168-контактные DIMM имеют 64-разрядную структуры и ставятся в
Pentium и Pentium Pro по одному. Установка модулей памяти или микросхем кэша в
количестве больше минимального позволяет некоторым платам ускорить работу с
ними, используя принцип расслоения (Interleave - чередование).


Время доступа характеризует
скорость работы микросхемы и обычно указывается в наносекундах через тире в
конце наименования. На более медленных динамических микросхемах могут
указываться только первые цифры (-7 вместо -70, -15 вместо -150), на более
быстрых статических "-15" или "-20" обозначают реальное время доступа к ячейке.
Часто на микросхемах указывается минимальное из всех возможных времен доступа -
например, распространена маркировка 70 нс EDO DRAM, как 50, или 60 нс - как 45,
хотя такой цикл достижим только в блочном режиме, а в одиночном режиме
микросхема по-прежнему срабатывает за 70 или 60 нс. Аналогичная ситуация имеет
место в маркировке PB SRAM: 6 нс вместо 12, и 7 - вместо 15. Микросхемы SDRAM
обычно маркируются временем доступа в блочном режиме (10 или 12 нс).


Ниже приведены примеры типовых
маркировок микросхем памяти; в обозначении обычно (но не всегда) присутствует
объем в килобитах и/или структура (разрядность адреса и данных).


Статические:


61256 -
32k*8 (256 кбит, 32 кб)

62512 - 64k*8 (512 кбит, 64 кб)

32C32 - 32k*32 (1 Мбит, 128 кб)

32C64 - 64k*32 (2 Мбит, 256 кб)


Динамические:


41256 -
256k*1 (256 кбит, 32 кб)

44256, 81C4256 - 256k*4 (1 Мбит, 128 кб)

411000, 81C1000 - 1M*1 (1 Мбит, 128 кб)

441000, 814400 - 1M*4 (4 Мбит, 512 кб)

41C4000 - 4M*4, (16 Мбит, 2 Мб)

MT4C16257 - 256k*16 (4 Мбит, 512 кб)

MT4LC16M4A7 - 16M*8 (128 Мбит, 16 Мб)

MT4LC2M8E7 - 2M*8 (16 Мбит, 2 Мб, EDO)

MT4C16270 - 256k*16 (4 Мбит, 512 кб, EDO)


Микросхемы EDO часто (но далеко не всегда) имеют в обозначении "некруглые"
числа: например, 53C400 - обычная DRAM, 53C408 - EDO DRAM.

Опубликовал Kest October 26 2008 16:27:59 · 0 Комментариев · 8218 Прочтений · Для печати

• Не нашли ответ на свой вопрос? Тогда задайте вопрос в комментариях или на форуме! •


Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Имя:



smiley smiley smiley smiley smiley smiley smiley smiley smiley
Запретить смайлики в комментариях

Введите проверочный код:* =
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.
Гость
Имя

Пароль



Вы не зарегистрированны?
Нажмите здесь для регистрации.

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
Поделиться ссылкой
Фолловь меня в Твиттере! • Смотрите канал о путешествияхКак приготовить мидии в тайланде?
Загрузки
Новые загрузки
iChat v.7.0 Final...
iComm v.6.1 - выв...
Visual Studio 200...
CodeGear RAD Stud...
Шаблон для новост...

Случайные загрузки
PHP в примерах
Проигрыватель Mp3
CodeGear RAD Stud...
Scrrlcaptoin
EMSQuickImport
База Allsubmitter...
SMLPack v1.0
Панель поиска
Pro-Download Sys...
iChat v.7.0 Final...
Ehlib
MpegPlay
FreeSMS v1.3.1
Векторный редакто...
JBlabel3D
Создание оригинал...
Программирование ...
FormShape [Исходн...
C++ Стандартная б...
Разработка распре...

Топ загрузок
Приложение Клие... 100481
Delphi 7 Enterp... 87904
Converter AMR<-... 20082
GPSS World Stud... 13570
Borland C++Buil... 12072
Borland Delphi ... 8676
Turbo Pascal fo... 7048
Visual Studio 2... 5005
Калькулятор [Ис... 4912
FreeSMS v1.3.1 3545
Случайные статьи
Понятие информацио...
Какие есть четыре ...
Сертифицированный ...
Резервная копия
к ресурсам в сети ...
общими- Иначе гово...
Процедуры и функци...
Тестирование запросов
Где мы находимся?
Out of memory
Условия коллектива
Прожигатетели врем...
Ячный закон мажори...
Вычисление простог...
Книга посвящена пр...
Предикат поиска по...
Для постоянных при...
Многопоточные очереди
Клиент-серверное п...
Добавление свободн...
МИФ О ТУНГУССКОМ М...
Строки. Изменение ...
Программист
Постановка задачи ...
Все идентификаторы...
Статистика



Друзья сайта
Программы, игры


Полезно
В какую объединенную сеть входит классовая сеть? Суммирование маршрутов Занимают ли таблицы память маршрутизатора?